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本产品主要面向SIC功率器件制造领域，在氮气氛围中对SIC/PI复合薄膜进行600-1050℃的碳化处理，在碳化过程中，SIC纳米粒子与PI作用形成化学键合，使其耐热性得到提高。
用于IC集成电路、MEMS、电力电子器件、光电子器件等领域，主要适用于6"、8"、12"晶圆的合金、退火等工艺。
主要用于半导体集成电路、电力电子(IGBT)、微机械(MEMS)、光伏电池(Photovoltaic)制造等领域，适用6~12英寸工艺尺寸扩散、氧化、工艺。
半导体芯片的封装过程中，封胶材料会吸收水汽或产生挥发物质，或于制程中产生空腔(气泡)。IC元件在回焊(reflow)制程中，受热后水汽与空腔会因突沸而体积瞬间膨胀，导致芯片及封装体本身受到极大的应力，而可能造成IC元件失效。但这些应力不一定会马上造成IC的失效，故会严重影响产品的可靠性、质量等加压烤箱可用于IC封装、Flip chip(覆晶) 、Bumping(突块代工) 、晶圆封装或面板制程等。
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