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长江存储宣布128层闪存芯片研发成功

 4月13日,长江存储在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

据悉,长江存储首 发的128层QLC闪存创下速度、密度、容量三个全球 第 一。长江存储表示,X2-6070是业内首 款128层QLC规格的3D NAND闪存,拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
此次同时发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片X2-9060,以满足不同应用场景的需求。
据了解,每颗X2-6070 QLC闪存芯片共提供1.33Tb的存储容量。而在I/O读写性能方面,X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps(Gigabits/s千兆位/秒)的数据传输速率。
据悉,两款产品均采用长存自研Xtacking 2.0架构,外围电路和存储单元可堆叠,带来极 佳的扩展性。在性能方面,长存透露,两款产品拥有1.6Gbps的I/O读写性能,3D QLC单颗容量高达1.33Tb,是上一代64层的5.33倍。
长江存储表示,公司用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。
另据财联社报道,预计2020年底-2021年中旬陆续量产,目标达到月产能10万片;供应链消息透露,这款闪存已送样。

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